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MMBD717AW

更新时间： 2024-02-06 08:53:43
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强茂 - PANJIT 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 126K
描述
COMMON ANODE SCHOTTKY BARRIER DIODES

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MMBD717AW 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.57
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MMBD717AW 数据手册

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DATA SHEET  
MMBD717W/AW/CW/SW  
COMMON ANODE SCHOTTKY BARRIER DIODES  
Unit: inch (mm)  
0.2 Amperes  
SOT-323  
CURRENT  
VOLTAGE  
20 Volts  
FEATURES  
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching  
applicatons, circuit protection, and voltage clamping.  
Extremely low forward voltage reduces conduction loss.  
Miniature surface mount package is excellent for hand held and  
portable applications where space is limited.  
.087(2.2)  
.070(1.8)  
.054(1.35)  
.045(1.15)  
Both normal and Pb free product are available :  
.006(.15)  
.002(.05)  
.056(1.40)  
.047(1.20)  
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb  
Pb free: 99% Sn above can meet Rohs environment substance  
directive request  
.004(.10)MAX.  
MECHANICALDATA  
.016(.40)  
.078(.20)  
Case: SOT-323, Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202G, Method 208  
Approx. Weight: 4.8mg  
O
MAXIMUM RATINGS (TJ = 125 C unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
Volts  
mW  
Reverse Voltage  
VR  
20  
200  
Forward Power Dissipation @ TA = 25OC  
Derate above 25OC  
PF  
1.6  
mW/OC  
OC  
TJ  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-50 to 150  
-50 to 150  
TSTG  
OC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C, unless otherwise noted)  
TYPE  
MMBD717W  
MIN.  
MMBD717AW  
TYP.  
MMBD717CW  
MMBD717SW  
UNIT  
PARAMETER  
SYMBOL  
MAX.  
Reverse Breakdown Voltage (IR=10u A)  
Total Capacitance (VR=1.0V,f=1.0MHz)  
V(BR)R  
CT  
70  
-
-
-
-
V
0.2  
uA  
Reverse Leakage (VR=10V)  
(For each individual diode while the second  
diode is unbiased)  
-
-
-
-
0.5  
1.0  
IR  
V
Forward Voltage (IF=1.0 m Adc)  
Circuit Figure  
VF  
-
-
1.0  
Pf  
COMMONCATHODE  
SINGLE  
COMMONANODE  
SERIES  
STAD-FEB.15.2005  
PAGE . 1  
123

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