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MMBD4448TA

更新时间： 2024-01-22 07:38:57
品牌 Logo 应用领域
SECOS 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 688K
描述
Plastic-Encapsulated Switching Diode

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MMBD4448TA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.59配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.72 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：4 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.25 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MMBD4448TA 数据手册

 浏览型号MMBD4448TA的Datasheet PDF文件第2页 
MMBD4448T Series  
Plastic-Encapsulated Switching Diode  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
DESCRIPTION  
SOT-523  
z
z
z
Fast switching speed  
For general purpose switching applications  
High conductance  
A
L
3
3
Top View  
C B  
1
1
2
2
K
F
E
MARKING  
D
Part  
Name  
MMBD4448T  
MMBD4448TA  
A6  
MMBD4448TC  
A7  
MMBD4448TS  
A8  
H
J
G
A3  
Marking  
Circuit  
Millimeter  
Millimeter  
Min.  
0.00  
0.28  
0.10  
-
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
1.70  
1.75  
0.85  
0.90  
1.10  
0.33  
Max.  
0.15  
0.40  
0.20  
-
A
B
C
D
E
F
1.50  
1.45  
0.75  
0.70  
0.90  
0.25  
G
H
J
K
L
0.75  
0.85  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Single Diode @ Ta = 25°C)  
Parameter  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
Symbol  
VRM  
Value  
Unit  
100  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
80  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IFM  
57  
V
Forward Continuous Current  
Average Rectified Output Current  
500  
250  
mA  
mA  
IO  
4.0  
1.5  
@ t = 1.0µs  
@ t = 1.0s  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
IFSM  
A
Power Dissipation  
PD  
150  
833  
mW  
℃ / W  
℃
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Storage Temperature  
RθJA  
TSTG  
-65 ~ 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Ta = 25°C unless otherwise specified)  
Parameters  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
Reverse Breakdown Voltage  
VR  
VF1  
VF2  
VF3  
VF4  
80  
-
V
V
V
V
V
IR = 2.5 µA  
IF = 5.0 mA  
IF = 10 mA  
IF = 100 mA  
IF = 150 mA  
0.62  
0.720  
0.855  
1.00  
1.25  
-
-
-
Forward Voltage (Note 2)  
-
-
-
-
0.10  
25  
µA  
nA  
pF  
nS  
VR = 70 V  
Peak Reverse Current (Note 2)  
IR  
VR = 20 V  
Total Capacitance  
CT  
tRR  
3.50  
4.00  
VR = 6 V, f = 1.0 MHz  
VR = 6 V, IF = 5.0 mA  
Reverse Recovery Time  
01-Jun-2008 Rev. A  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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