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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MMBD4448V
MMBD4448V PDF预览

MMBD4448V

更新时间： 2024-11-21 10:52:47
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 191K
描述
150mW Switching Diodes

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MMBD4448V 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：PLASTIC PACKAGE-6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.63
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：80 V
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

MMBD4448V 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMBD4448V  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
·
Fast Switching Speed  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
150mW  
Switching Diodes  
·
·
SOT-563  
Maximum Ratings  
Symbol  
VRM  
VRRM  
VRWM  
VR  
Parameter  
Rating  
100  
Unit  
V
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
80  
V
VR(RMS)  
IFM  
IO  
RMS Reverse Voltage  
Forward Continuous Current  
Average Rectified Output Current  
57  
500  
250  
V
mA  
mA  
Peak Forward Surge Current @1.0Is  
4.0  
2.0  
IFSM  
A
@1.0s  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
R/W  
mW  
R
R
PD  
TJ  
833  
150  
150  
E
JA  
Power dissipation  
Junction Temperature  
DIMENSIONS  
Storage Temperature  
R
TSTG  
-65 to +150  
INCHES  
MIN  
.006  
.043  
.061  
MM  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
DIM  
A
B
C
D
G
H
K
L
M
MAX  
.011  
.049  
.067  
MIN  
0.15  
1.10  
1.55  
MAX  
0.30  
1.25  
1.70  
NOTE  
Symbol  
V(BR)  
Parameter  
Reverse Breakdown Voltage  
Min  
80V  
Max  
Test Conditions  
IR=2.5IA  
.020  
0.50  
Reverse Voltage Leakage  
Current  
0.1IA  
25nA  
VR=70V  
VR=20V  
IR  
.035  
.059  
.022  
.004  
.004  
.043  
.067  
.023  
.011  
.007  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
0.72V  
0.855V  
1.0V  
IF=5mA  
IF=10mA  
IF=100mA  
VF  
Forward Voltage  
1.25mV  
3.5pF  
4ns  
IF=150mA  
VR=6V, f=1MHZ  
VR=6V, IF=5mA  
CT  
trr  
Total Capacitance  
Reverse Recovery Time  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与MMBD4448V相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD4448V_08 DIODES

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 		SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
MMBD4448V_13 MCC

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MMBD4448V-7 DIODES

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MMBD4448VPT CHENMKO

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MMBD4448V-T MCC

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 		Rectifier Diode,
MMBD4448V-TP-HF MCC

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MMBD4448W WTE

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