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MMBD4448HTCT-13 PDF预览

MMBD4448HTCT-13

更新时间： 2024-01-15 00:15:42
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 54K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 80V V(RRM), Silicon

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MMBD4448HTCT-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.66
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.25 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
最大功率耗散：0.15 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：80 V最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MMBD4448HTCT-13 数据手册

 浏览型号MMBD4448HTCT-13的Datasheet PDF文件第2页 
MMBD4448HT /HTA /HTC /HTS  
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE  
Features  
·
·
·
·
Ultra-Small Surface Mount Package  
Fast Switching Speed  
SOT-523  
TOP VIEW  
Dim Min Max Typ  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
A
B
C
D
G
H
J
0.15 0.30 0.22  
0.75 0.85 0.80  
1.45 1.75 1.60  
B
C
¾
¾
0.50  
Mechanical Data  
0.90 1.10 1.00  
1.50 1.70 1.60  
0.00 0.10 0.05  
0.60 0.80 0.75  
0.10 0.30 0.22  
0.10 0.20 0.12  
0.45 0.65 0.50  
A
G
H
·
·
Case: SOT-523, Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
K
L
K
J
M
·
·
·
·
Polarity: See Diagram  
N
M
N
Marking: See Diagram  
Weight: 0.002 grams (approx.)  
Ordering Information, see Sheet 2  
D
L
All Dimensions in mm  
MMBD4448HTS Marking: AB  
MMBD4448HTA Marking: A6  
@ T = 25°C unless otherwise specified  
MMBD4448HTC Marking: A7  
MMBD4448HT Marking: A3  
Maximum Ratings  
A
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRM  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
100  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
80  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
57  
V
Forward Continuous Current  
Average Rectified Output Current  
500  
250  
mA  
mA  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
@ t = 1.0s  
4.0  
2.0  
IFSM  
A
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
150  
833  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
@ T = 25°C unless otherwise specified  
A
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
80  
¾
V
IR = 2.5ma  
IF = 5.0mA  
IF = 10mA  
IF = 100mA  
IF = 150mA  
0.62  
¾
¾
0.72  
0.855  
1.0  
VF  
Forward Voltage (Note 2)  
Leakage Current (Note 2)  
V
¾
1.25  
VR = 70V  
VR = 75V, Tj = 150°C  
VR = 25V, Tj = 150°C  
VR = 20V  
100  
50  
30  
25  
nA  
mA  
mA  
nA  
IR  
¾
VR = 6V, f = 1.0MHz  
VR = 6V, IF = 5mA  
Cj  
trr  
Junction Capacitance  
¾
¾
3.5  
4.0  
pF  
ns  
Reverse Recovery Time  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout.  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
DS30263 Rev. B-2  
1 of 2  
MMBD4448HT /HTA /HTC /HTS  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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