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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.86 | Is Samacsys： | N |
| 系列： | HC/UH | JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 19.43 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | XOR GATE |
| 最大I（ol）： | 0.004 A | 功能数量： | 4 |
| 输入次数： | 2 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 2/6 V | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 36 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 36 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Gates | 最大供电电压 (Vsup)： | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MM54HC86J/883 | NSC |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT XOR,HC-CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| MM54HC86W | TI |
获取价格 |
IC HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDFP14, CERAMIC, FP-14, Gate |
|
| MM54HCT00J | ETC |
获取价格 |
Quad 2-input NAND Gate |
|
| MM54HCT00J/883 | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,HCT-CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| MM54HCT00J/883B | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,HCT-CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| MM54HCT00J/883C | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,HCT-CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| MM54HCT03 | NSC |
获取价格 |
Quad 2-Input NAND Gate (Open Drain) |
|
| MM54HCT03J | NSC |
获取价格 |
Quad 2-Input NAND Gate (Open Drain) |
|
| MM54HCT04J | ETC |
获取价格 |
Hex Inverter |
|
| MM54HCT04J/883 | NSC |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,HEX INVERTER,HCT-CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
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