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MLCE90AE3

更新时间: 2024-09-15 18:26:11
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
5页 332K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 90V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1, 2 PIN

MLCE90AE3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.55其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:111 V最小击穿电压:100 V
击穿电压标称值:105.5 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:146 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:90 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MLCE90AE3 数据手册

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MLCE90AE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MXLLCE90AE3 MICROSEMI

完全替代

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 90V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MALCE90AE3 MICROSEMI

类似代替

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 90V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MLCE90AE3TR MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 90V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MLCE90ATR MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 90V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
MLCE90E3 MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode
MLCI-65656L-85P883:D TEMIC

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Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, CDIP28,
MLCI-65656V-100:D TEMIC

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28,
MLCK-67130L-45 TEMIC

获取价格

Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP48,
MLCK67130L45CB TEMIC

获取价格

Memory IC,
MLCK-67130L-55 TEMIC

获取价格

Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48,
MLCK-67130L-70 TEMIC

获取价格

Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CDIP48,
MLCK67130L70CB TEMIC

获取价格

Memory IC,