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MJ15015

更新时间： 2024-11-14 22:46:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 238K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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MJ15015 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3包装说明：CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：180 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：0.8 MHz
Base Number Matches：1

MJ15015 数据手册

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by 2N3055A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . PowerBase complementary transistors designed for high power audio, stepping  
motor and other linear applications. These devices can also be used in power  
switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc–to–dc converters, inverters, or  
for inductive loads requiring higher safe operating area than the 2N3055 and MJ2955.  
•
Current–Gain — Bandwidth–Product @ I = 1.0 Adc  
C
f
= 0.8 MHz (Min) – NPN  
= 2.2 MHz (Min) – PNP  
T
*Motorola Preferred Device  
•
Safe Operating Area — Rated to 60 V and 120 V, Respectively  
15 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60, 120 VOLTS  
*MAXIMUM RATINGS  
2N3055A  
MJ2955A  
MJ15015  
MJ15016  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
V
V
60  
120  
200  
200  
CEO  
115, 180 WATTS  
100  
100  
CBO  
Collector–Emitter Voltage Base  
Reversed Biased  
V
CEV  
EBO  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
Base Current  
V
7.0  
15  
Vdc  
Adc  
Adc  
I
C
I
B
7.0  
CASE 1–07  
TO–204AA  
(TO–3)  
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
115  
0.65  
180  
1.03  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +200  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.52  
0.98  
C/W  
θJC  
* Indicates JEDEC Registered Data. (2N3055A)  
200  
150  
MJ15015  
MJ15016  
100  
50  
2N3055A  
MJ2955A  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
200  
T
, CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
123456

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