是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 其他特性: | TRI-STATE; ENABLE/DISABLE FUNCTION |
最长下降时间: | 10 ns | 频率调整-机械: | NO |
频率稳定性: | 20% | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
标称工作频率: | 50 MHz | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 振荡器类型: | HCMOS/TTL |
输出负载: | 10 TTL, 50 pF | 最长上升时间: | 10 ns |
最大供电电压: | 5.5 V | 最小供电电压: | 4.5 V |
标称供电电压: | 5 V | 表面贴装: | YES |
最大对称度: | 45/55 % |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MH28TDG-RFREQ | MTRONPTI |
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CMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1MHz Min, 67MHz Max | |
MH-29N | AEROFLEX |
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RF/Microwave Coupler, 500 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE 180 DEGREE HYBRID COUPLER, 0.25 dB I | |
MH2M04B1J-10 | MITSUBISHI |
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DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30 | |
MH2M04B1J-7 | MITSUBISHI |
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DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30 | |
MH2M04B1J-8 | MITSUBISHI |
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DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30 | |
MH2M04B1JA-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30 | |
MH2M04B1JA-7 | MITSUBISHI |
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DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30 | |
MH2M04B1JA-8 | MITSUBISHI |
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DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30 | |
MH2M04B2J-7 | MITSUBISHI |
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DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30 | |
MH2M04B2J-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30 |