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MH2M04BJA-10

更新时间： 2024-10-28 19:38:43

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	308K
描述
Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30

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MH2M04BJA-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIMM	包装说明：	, SIP30,.2
针数：	30	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XSMA-T30
JESD-609代码：	e0	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	30	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装等效代码：	SIP30,.2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	21.082 mm	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH2M04BJA-7	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30
MH2M04BJA-8	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30
MH2M08ATNA-10H	MITSUBISHI	获取价格	SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS
MH2M08ATNA-10L	MITSUBISHI	获取价格	SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS
MH2M08ATNA-12H	MITSUBISHI	获取价格	SRAM Module, 2MX8, 120ns, CMOS
MH2M08ATNA-12L	MITSUBISHI	获取价格	SRAM Module, 2MX8, 120ns, CMOS
MH2M08ATNA-15H	MITSUBISHI	获取价格	SRAM Module, 2MX8, 150ns, CMOS
MH2M08ATNA-15L	MITSUBISHI	获取价格	SRAM Module, 2MX8, 150ns, CMOS
MH2M08ATNA-85H	MITSUBISHI	获取价格	SRAM Module, 2MX8, 85ns, CMOS
MH2M08ATNA-85L	MITSUBISHI	获取价格	SRAM Module, 2MX8, 85ns, CMOS