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MH2M04B1J-8

更新时间： 2024-10-28 19:55:39

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MH2M04B1J-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SIM30	针数：	30
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	NIBBLE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XSMA-N30	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	DRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	30	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SIMM
封装等效代码：	SIM30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	20.32 mm	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.56 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH2M04B1JA-10	MITSUBISHI	获取价格	DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30
MH2M04B1JA-7	MITSUBISHI	获取价格	DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30
MH2M04B1JA-8	MITSUBISHI	获取价格	DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30
MH2M04B2J-7	MITSUBISHI	获取价格	DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30
MH2M04B2J-8	MITSUBISHI	获取价格	DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30
MH2M04B2JA-10	MITSUBISHI	获取价格	DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30
MH2M04B2JA-7	MITSUBISHI	获取价格	DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30
MH2M04B2JA-8	MITSUBISHI	获取价格	DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30
MH2M04BJ-10	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30
MH2M04BJ-7	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30