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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | X BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC40V7785A-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC40V7785B | MITSUBISHI |
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7.7 - 8.5GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC40V7785B-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC40V7785B-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC41V3642 | MITSUBISHI |
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3.6 - 4.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC41V3642_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
3.6 - 4.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC41V4450 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERME |
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| MGFC41V5964 | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.9 - 6.4GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC41V5964_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.9 - 6.4GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC41V6472 | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 ~ 7.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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