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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, HIGH EFFICIENCY |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | R-XDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 53.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC40V7785B-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC40V7785B-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC41V3642 | MITSUBISHI |
获取价格 |
3.6 - 4.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC41V3642_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
3.6 - 4.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC41V4450 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERME |
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| MGFC41V5964 | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.9 - 6.4GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC41V5964_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.9 - 6.4GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC41V6472 | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 ~ 7.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC41V7177 | MITSUBISHI |
获取价格 |
7.1 - 7.7GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC41V7785 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERME |
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