生命周期: | Active | 包装说明: | TO-220F, 3 PIN |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.67 |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.86 V |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
最大非重复峰值正向电流: | 180 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 10 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
最大重复峰值反向电压: | 200 V | 最大反向电流: | 100 µA |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MGBR20L200CL-TA3-T | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR20L200CL-TF1-T | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR20L200CL-TF3-T | UTC |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | |
MGBR20L200G-TN3-R | UTC |
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Rectifier Diode, | |
MGBR20L300 | UTC |
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MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR20L300C | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR20L300CG-TA3-T | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR20L300CG-TF3-T | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR20L300CG-TQ2-R | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR20L300CG-TQ2-T | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER |