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MG25Q2YS91

更新时间: 2024-09-15 18:42:55
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东芝 - TOSHIBA 局域网双极性晶体管功率控制
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1页 47K
描述
TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

MG25Q2YS91 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.71
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):25 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):1000 ns门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X7元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):250 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2.7 VBase Number Matches:1

MG25Q2YS91 数据手册

  

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