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MG25Q6ES50

更新时间: 2024-11-19 22:11:11
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东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管光电二极管电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 273K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

MG25Q6ES50 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8Is Samacsys:N
其他特性:HIGH SPEED SWITCHING外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):35 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-PDIP-P24
元件数量:6端子数量:24
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:DUAL晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):600 ns
标称接通时间 (ton):200 nsBase Number Matches:1

MG25Q6ES50 数据手册

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