Datasheet > MG25Q1BS11

MG25Q1BS11

更新时间： 2024-11-19 22:11:11

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数	文件大小	规格书
4页	230K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MG25Q1BS11 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.23	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	1000 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	150 W	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	600 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1200 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	VCEsat-Max：	2.7 V
Base Number Matches：	1

12 3 4

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MG25Q2YK1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG25Q2YL1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG25Q2YS40	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG25Q2YS9	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
MG25Q2YS91	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
MG25Q6ES11	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
MG25Q6ES42	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG25Q6ES50	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG25Q6ES50A	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG25Q6ES51	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)