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MG15N2YS1

更新时间: 2024-09-10 14:28:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网电动机控制双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 183K
描述
TRANSISTOR 15 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-94C3A, 7 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

MG15N2YS1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
针数:7Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83Is Samacsys:N
其他特性:HIGH SPEED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:1000 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-PUFM-X7
元件数量:2端子数量:7
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:MOTOR CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1000 ns标称接通时间 (ton):400 ns
Base Number Matches:1

MG15N2YS1 数据手册

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