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MF14M1-L57ATXX

更新时间: 2024-09-15 14:53:19
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 401K
描述
DRAM Card, 1MX32, 70ns, MOS

MF14M1-L57ATXX 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:, CARD88
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:PAGE
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
备用内存宽度:16I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:X-XXMA-X88内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:DRAM CARD内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:88字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:55 °C最低工作温度:
组织:1MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装等效代码:CARD88
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:54.102 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.89 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
Base Number Matches:1

MF14M1-L57ATXX 数据手册

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