MCR8SD-BV

更新时间： 2024-10-02 13:11:23

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		可控硅
页数	文件大小	规格书
2页	69K
描述
8A, 400V, SCR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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MCR8SD-BV 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.61	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	2 V/us
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	最大直流栅极触发电压：	1 V
最大维持电流：	6 mA	JESD-30 代码：	R-PSFM-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	110 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	8 A	重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA
断态重复峰值电压：	400 V	重复峰值反向电压：	400 V
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

MCR8SD-BV 数据手册

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by MCR8/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

*Motorola preferred devices

SCRs

8 AMPERES RMS

400 thru 800

VOLTS

Designed primarily for half–wave ac control applications, such as motor

controls, heating controls, and power supplies; or wherever half–wave, silicon

gate–controlled devices are needed.

•

Blocking Voltage to 800 Volts

On-State Current Rating of 8 Amperes RMS

High Surge Current Capability — 80 Amperes

Industry Standard TO–220AB Package for Ease of Design

Glass Passivated Junctions for Reliability and Uniformity

CASE 221A–06

(TO-220AB)

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Peak Repetitive Off-State Voltage (1)

Peak Repetitive Reverse Voltage

DRM

RRM

Volts

(T = –40 to 125°C)

MCR8D

MCR8M

MCR8N

400

600

800

On-State RMS Current

(All Conduction Angles)

T(RMS)

Peak Non-repetitive Surge Current

(One Half Cycle, 60 Hz, T = 125°C)

TSM

Circuit Fusing Consideration (t = 8.3 ms)

I t

26.5

5.0

A sec

Peak Gate Power (Pulse Width ≤ 1.0 µs, T = 80°C)

Watts

Average Gate Power (t = 8.3 ms, T = 80°C)

0.5

G(AV)

Peak Gate Current (Pulse Width ≤ 1.0 µs, T = 80°C)

2.0

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

–40 to +125

–40 to +150

°C

stg

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance — Junction to Case

Thermal Resistance — Junction to Ambient

2.0

62.5

°C/W

°C

θJC

θJA

Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from Case for 10 Seconds

NOTE: V andV

260

foralltypescanbeappliedonacontinuousbasis.Ratingsapplyforzeroornegativegatevoltage;positivegatevoltageshall

RRM

DRM

notbeappliedconcurrentwithnegativepotentialontheanode. Blockingvoltagesshallnotbetestedwithaconstantcurrentsourcesuchthat

the voltage ratings of the devices are exceeded.

This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 1

Motorola Thyristor Device Data

Motorola, Inc. 1995

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与MCR8SD-BV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCR8SD-DW	MOTOROLA	获取价格	8A, 400V, SCR, TO-220AB
MCR8SDG	ONSEMI	获取价格	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR8SDG	LITTELFUSE	获取价格	该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源；或用于需要半波硅门控设
MCR8SM	ONSEMI	获取价格	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR8SM	MOTOROLA	获取价格	8A, 600V, SCR, TO-220AB, CASE 221A, 3 PIN
MCR8SM-AF	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
MCR8SM-AJ	MOTOROLA	获取价格	8A, 600V, SCR, TO-220AB
MCR8SM-AN	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
MCR8SM-AU	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR8SM-BA	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-220AB

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