5秒后页面跳转
MCP6N16-100E/MF PDF预览

MCP6N16-100E/MF

更新时间: 2024-09-28 19:40:27
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
58页 8518K
描述
INSTRUMENTATION AMPLIFIER

MCP6N16-100E/MF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:HVSON, SOLCC8,.11,25Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.33.00.01
Factory Lead Time:8 weeks风险等级:2.17
放大器类型:INSTRUMENTATION AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB):0.0001 µA
最小共模抑制比:112 dB最大输入失调电流 (IIO):0.0008 µA
最大输入失调电压:17 µVJESD-30 代码:S-PDSO-N8
JESD-609代码:e3长度:3 mm
湿度敏感等级:1最大非线性:0.25%
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:HVSON
封装等效代码:SOLCC8,.11,25封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE包装方法:TUBE
峰值回流温度(摄氏度):260座面最大高度:1 mm
子类别:Instrumentation Amplifier最大压摆率:1.6 mA
供电电压上限:6.5 V标称供电电压 (Vsup):2.9 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:NO LEAD端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
最小电压增益:100标称电压增益:126
宽度:3 mmBase Number Matches:1

MCP6N16-100E/MF 数据手册

 浏览型号MCP6N16-100E/MF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MCP6N16-100E/MF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MCP6N16-100E/MF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MCP6N16-100E/MF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MCP6N16-100E/MF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MCP6N16-100E/MF的Datasheet PDF文件第7页 

与MCP6N16-100E/MF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCP6N16-100E/MS MICROCHIP

获取价格

INSTRUMENTATION AMPLIFIER
MCP6N16T-010E/MS MICROCHIP

获取价格

INSTRUMENTATION AMPLIFIER
MCP6S21 MICROCHIP

获取价格

Single-Ended, Rail-to-Rail I/O, Low Gain PGA
MCP6S21_13 MICROCHIP

获取价格

Single-Ended, Rail-to-Rail I/O, Low Gain PGA
MCP6S21-I/P MICROCHIP

获取价格

SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
MCP6S21T-I/MS MICROCHIP

获取价格

SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO8, PLASTIC, MSOP-8
MCP6S21T-I/SN MICROCHIP

获取价格

SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8
MCP6S22 MICROCHIP

获取价格

Single-Ended, Rail-to-Rail I/O, Low Gain PGA
MCP6S22T-I/MS MICROCHIP

获取价格

SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO8, PLASTIC, MSOP-8
MCP6S22T-I/SN MICROCHIP

获取价格

SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8