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MCM54410AN80R2

更新时间: 2024-11-11 04:16:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 1190K
描述
1M x 4 CMOS Dynamic RAM Write Per Bit Mode

MCM54410AN80R2 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:0.300 INCH, SOJ-20Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-J20
JESD-609代码:e0长度:17.145 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:3.75 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

MCM54410AN80R2 数据手册

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