5秒后页面跳转
MCM54410AN80 PDF预览

MCM54410AN80

更新时间: 2024-11-11 04:16:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 1190K
描述
1M x 4 CMOS Dynamic RAM Write Per Bit Mode

MCM54410AN80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:0.300 INCH, SOJ-20Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-J20JESD-609代码:e0
长度:17.145 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:3.75 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

MCM54410AN80 数据手册

 浏览型号MCM54410AN80的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MCM54410AN80的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MCM54410AN80的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MCM54410AN80的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MCM54410AN80的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MCM54410AN80的Datasheet PDF文件第7页 

与MCM54410AN80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCM54410AN-80 FREESCALE

获取价格

1M x 4 CMOS Dynamic RAM Write Per Bit Mode
MCM54410AN-80 MOTOROLA

获取价格

1M x 4 CMOS Dynamic RAM Write Per Bit Mode
MCM54410AN80R2 MOTOROLA

获取价格

1M x 4 CMOS Dynamic RAM Write Per Bit Mode
MCM54410AN80R2 FREESCALE

获取价格

1M x 4 CMOS Dynamic RAM Write Per Bit Mode
MCM54410AN-80R2 FREESCALE

获取价格

1M x 4 CMOS Dynamic RAM Write Per Bit Mode
MCM54410AN-80R2 MOTOROLA

获取价格

1M x 4 CMOS Dynamic RAM Write Per Bit Mode
MCM54410AZ60 MOTOROLA

获取价格

1M x 4 CMOS Dynamic RAM Write Per Bit Mode
MCM54410AZ60 FREESCALE

获取价格

1M x 4 CMOS Dynamic RAM Write Per Bit Mode
MCM54410AZ-60 FREESCALE

获取价格

1M x 4 CMOS Dynamic RAM Write Per Bit Mode
MCM54410AZ-60 MOTOROLA

获取价格

1M x 4 CMOS Dynamic RAM Write Per Bit Mode