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MCM36B32SG12

更新时间: 2024-11-08 08:34:59
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摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 123K
描述
SRAM Module, 32KX36, 12ns, CMOS, PSMA80

MCM36B32SG12 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:12 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PSMA-N80
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:36端子数量:80
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:32KX36
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SIMM封装等效代码:SSIM80
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

MCM36B32SG12 数据手册

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