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MCM28F064ACH

更新时间： 2024-09-14 21:15:11
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 163K
描述
IC 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 200 ns, CDMA44, Programmable ROM

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MCM28F064ACH 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP44,1.9Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.92最长访问时间：200 ns
其他特性：AUTOMATIC WRITE; BLOCK ERASE数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-CDMA-T44JESD-609代码：e0
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH MODULE
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：128端子数量：44
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8MX8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP44,1.9封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
部门规模：64K最大待机电流：0.0025 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

MCM28F064ACH 数据手册

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PRELIMINARY  
July 1995  
MCM28F064ACH  
64-Mbit (8-Mbit x 8) Flash Memory Module  
with Internal Decoding and Quiet Series I/O Buffers  
General Description  
The MCM28F064ACH is a 67,108,864-bit flash memory  
Features  
Y
Read access time of 200 ns over the military tempera-  
a
b
ture range ( 55 C to 125 C)  
§
§
module, organized as 8 pages with 1,048,576 bytes per  
page. Utilizing Intel’s FlashFileTM  
Y
Y
Memory, the  
Utilizes Intel’s FlashFile architecture with 128 64 kbytes  
block (8 pages with 16 blocks per page)  
Automated byte write/block erase capability can be ex-  
ecuted simultaneously in all 8 pages, greatly improving  
average write/erase cycle times  
MCM28F064ACH is a high density nonvolatile memory solu-  
tion for military/aerospace storage applications. The fast  
access time, low power consumption, small size and unique  
architecture provide a smaller, lighter, more reliable, lower  
power and higher performance alternative to traditional ro-  
tating disk and magnetic tape technologies.  
Y
Utilizes National’s FACT Quiet Series technology for ul-  
tra low switching noise and superior dynamic threshold  
performance  
The module includes eight 28F008SA flash memories,  
along with National Semiconductor’s FACT Quiet SeriesTM  
I/O buffers and decoding logic. The MCM28F064ACH is of-  
fered in a 44-lead, hermetic package. Both through-hole  
and surface mount lead configurations are available.  
Y
Y
TTL compatible inputs  
g
24 mA static drive,  
TRI-STATE  
É
g
50 mA dynamic drive  
outputs with  
Y
Y
Hermetically sealed, integral substrate package  
DIP package standard (surface mount packages also  
available)  
Connection Diagram  
Pin Names  
Description  
Address Inputs  
A –A  
0
22  
7
D –A  
0
Data Inputs/Outputs  
CE  
WE  
RE  
DE  
Chip Enable Input (Active LOW)  
Write Enable Input (Active LOW)  
Read Enable Input (Active LOW)  
Data Enable Input (Active LOW)  
Erase/Write Power Supply  
Device Power Supply  
V
V
PP  
CC  
GND  
NC  
Ground  
No Connection  
TL/Z/12435–1  
TRI-STATEÉ is a registered trademark of National Semiconductor Corporation.  
FACTTM and FACT Quiet SeriesTM are trademarks of National Semiconductor Corporation.  
FlashFileTM is a trademark of Intel Corporation.  
C
1995 National Semiconductor Corporation  
TL/Z/12435  
RRD-B30M115/Printed in U. S. A.  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCM28F256ACH TI

获取价格

 		256-Mbit (32-Mbit x 8, 16-Mbit x 16) Flash Memory Module with Internal Decoding and Bounda
MCM28F256ACHN NSC

获取价格

 		MEMORY MODULE,EEPROM,NOR FLASH,16MX16/32MX8,CMOS,SDIP,68PIN,CERAMIC
MCM28F256ACHN TI

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 		MEMORY MODULE,EEPROM,NOR FLASH,16MX16/32MX8,CMOS,SDIP,68PIN,CERAMIC
MCM28F256ACHSC NSC

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 		MEMORY MODULE,EEPROM,NOR FLASH,16MX16/32MX8,CMOS,DIP,68PIN,CERAMIC
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MCM29040E615 MOTOROLA

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