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MCM218165BVT70

更新时间： 2024-02-28 21:31:50
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 434K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44

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MCM218165BVT70 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：TSOP2,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：70 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：20.955 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：44字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

MCM218165BVT70 数据手册

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DC OPERATING CONDITIONS AND CHARACTERISTICS  
(V  
= 3.3 V ± 0.3 V, T = 0 to 70°C, Unless Otherwise Noted)  
CC  
A
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (All Voltages Referenced to V  
)
SS  
Parameter  
Supply Voltage (Operating Voltage Range)  
Logic High Voltage, All Inputs  
Symbol  
Min  
3.0  
Typ  
3.3  
—
Max  
Unit  
V
5 V  
5 V  
5 V  
V
CC  
3.6  
V
IH  
2.0  
V
+ 0.3  
V
CC  
Logic Low Voltage, All Inputs  
V
IL  
– 0.3  
—
0.8  
V
DC CHARACTERISTICS AND SUPPLY CURRENTS (All Voltages Referenced to V  
)
SS  
MCM218165BV–60 MCM218165BV–70  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Min  
Max  
Unit  
Notes  
Power Supply Current  
(RAS, LCAS, UCAS Cycling, t  
I
—
180  
—
170  
mA  
1, 2  
CC1  
CC2  
= min)  
RC  
Power Supply Current (Standby)  
I
mA  
(TTL Interface RAS, CAS = V  
Data Out = High–Z)n  
,
IH  
—
2
—
2
(CMOS Interface RAS, CAS ≥ V  
Data Out = High–Z)n  
– 0.2 V,  
CC  
—
—
0.5  
—
—
0.5  
Power Supply Current During RAS–Only Refresh Cycles  
(RAS Cycling, CAS = V , t = Min)  
I
180  
170  
mA  
2
CC3  
IH RC  
Power Supply Current During EDO Page Mode Cycle (t  
= Min)  
I
I
—
—
100  
180  
—
—
90  
mA  
mA  
1, 3  
PC  
Power Supply Current During CAS Before RAS Refresh Cycle  
(t = Min, RAS, CAS Cycling)  
CC4  
170  
CC5  
RC  
Input Leakage Current (0 V ≤ V ≤ V  
in  
)
I
– 5  
– 5  
2.4  
—
5
5
– 5  
– 5  
2.4  
—
5
5
µA  
µA  
V
CC  
lkg(I)  
Output Leakage Current (0 V ≤ V  
≤ V , Data Out = Disable)  
I
lkg(O)  
out  
CC  
Output High Voltage (I  
= – 5 mA)  
V
—
0.4  
—
0.4  
OH  
= 4.2 mA)  
OH  
Output Low Voltage (I  
NOTES:  
V
V
OL  
OL  
1. I  
depends on the output load condition when the device is selected. I max is specified at the ouput open condition.  
CC  
CC  
2. Address may be changed once or less while RAS = V  
IL  
3. Address may be changed once or less while LCAS and UCAS = V  
4. All V  
.
.
IL  
and V  
pins will be supplied with the same voltage.  
SS  
CC  
CAPACITANCE (f = 1.0 MHz, T = 25°C, V  
= 3.3 V ± 0.3 V, Periodically Sampled Rather Than 100% Tested)  
A
CC  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Notes  
Input Capacitance  
A0 – A9  
G, RAS, UCAS, LCAS, W  
DQ1 – DQ16  
C
5
7
7
pF  
1
in  
Input/Output Capacitance  
NOTES:  
C
pF  
1, 2  
I/O  
1. Capacitance measured with a Boonton Meter or effective capacitance calculated from the equation: C = I ∆t/∆V.  
2. LCAS and UCAS = V to disable data out.  
IH  
MCM218165BV  
5
MOTOROLA DRAM  
12345678...28

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与MCM218165BVT70相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MCM218165BVT70R MOTOROLA EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44

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MCM21L14BVBE45 MOTOROLA IC,SRAM,1KX4,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC

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