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MCH4021-TL-E

更新时间： 2024-09-17 11:12:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 射频晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 187K
描述
射频晶体管，NPN 单，8 V，150 mA，fT = 16 GHz

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MCH4021-TL-E 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
针数：4Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.55
最大集电极电流 (IC)：0.15 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)标称过渡频率 (fT)：13000 MHz
Base Number Matches：1

MCH4021-TL-E 数据手册

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Ordering number : ENA1281  
MCH4021  
RF Transistor  
8V, 150mA, f =16GHz, NPN Single MCPH4  
T
http://onsemi.com  
Features  
•
Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=1GHz).  
•
High cut-off frequency : f =16GHz typ (V =5V).  
T
CE  
High gain : S21e 2=17.5dB typ (f=1GHz).  
•
|
|
Specifications  
at Ta=25°C  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
15  
CBO  
V
8
V
CEO  
V
2
150  
V
EBO  
I
C
mA  
mW  
°C  
Collector Dissipation  
P
400  
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating  
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
at Ta=25°C  
Electrical Characteristics  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
1.0  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
V
=5V, I =0A  
A
A
μ
CBO  
CB E  
I
V
=1V, I =0A  
1.0  
μ
EBO  
EB C  
h
V
CE  
=5V, I =50mA  
60  
13  
150  
FE  
C
Gain-Bandwidth Product  
Forward Transfer Gain  
Noise Figure  
f
T
V
=5V, I =50mA  
16  
GHz  
dB  
CE C  
S21e 2  
V
CE  
=5V, I =50mA, f=1GHz  
C
17.5  
1.2  
|
|
NF  
V
CE  
=1V, I =10mA, f=1GHz  
1.8  
dB  
C
Marking : GL  
Note) Pay attention to handling since it is liable to be affected by static electricity due to the high-frequency process adopted.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
August, 2013  
80608AB TI IM TC-00001500 No. A1281-1/9  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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