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MCD500-14IO1

更新时间： 2024-11-05 20:52:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
11页 447K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1294A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5

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MCD500-14IO1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XXFM-X5Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大直流栅极触发电流：300 mA
JESD-30 代码：R-XXFM-X5元件数量：1
端子数量：5封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1294 A断态重复峰值电压：1400 V
重复峰值反向电压：1400 V表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

MCD500-14IO1 数据手册

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Date: 17.03.2005  
IXYS  
Data Sheet Issue: 2  
Thyristor/Diode Modules M## 500  
Absolute Maximum Ratings  
VRRM  
VDRM  
[V]  
MCC  
MCD  
MDC  
MCA  
MCK  
MCDA  
MDCA  
1200  
1400  
1600  
1800  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
MAXIMUM  
LIMITS  
1200-1800  
1200-1800  
1200-1800  
1300-1900  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
Repetitive peak off-state voltage 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage 1)  
Repetitive peak reverse voltage 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage 1)  
V
V
V
V
VDSM  
VRRM  
VRSM  
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
Maximum average on-state current, TC = 89°C 2)  
Maximum average on-state current. TC = 85°C 2)  
500  
A
A
545  
Maximum average on-state current. TC = 100°C 2)  
376  
A
IT(RMS)M Nominal RMS on-state current, TC = 55°C 2)  
1294  
1029  
16.5  
A
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
D.C. on-state current, TC = 55°C  
A
3)  
Peak non-repetitive surge tp = 10 ms, VRM = 60%VRRM  
Peak non-repetitive surge tp = 10 ms, VRM ≤ 10V 3)  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
18.2  
I2t capacity for fusing tp = 10 ms, VRM = 60%VRRM  
1.36×106  
1.66×106  
150  
3)  
I2t  
I2t capacity for fusing tp = 10 ms, VRM ≤ 10 V 3)  
Critical rate of rise of on-state current (repetitive) 4)  
(di/dt)cr  
Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive) 4)  
Peak reverse gate voltage  
300  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
5
Mean forward gate power  
4
W
Peak forward gate power  
Isolation Voltage 5)  
30  
W
VISOL  
TVj op  
Tstg  
3500  
-40 to +125  
-40 to +150  
V
Operating temperature range  
Storage temperature range  
°C  
°C  
Notes:  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tvj below 25°C.  
2) Single phase; 50 Hz, 180° half-sinewave.  
3) Half-sinewave, 125°C Tvj initial.  
4) VD = 67% VDRM, IFG = 2 A, tr ≤ 0.5µs, TC = 125°C.  
5) AC RMS voltage, 50 Hz, 1min test  
Rating Report. Types M##500-12io1 and M##500-18io1 Issue 2  
Page 1 of 11  
March, 2005  
1234567...11

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与MCD500-14IO1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCD500-14O1 IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier,
MCD500-16I1 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier,
MCD500-16IO1 IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1294A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE
MCD500-16IO1 LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1294A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE
MCD500-16O1 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier,
MCD500-18IO1 LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1294A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MODULE
MCD500-18IO1 IXYS

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MCD500-20O1 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier,

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