MCD56-08IO1

更新时间： 2024-11-04 22:24:47

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IXYS		二极管
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描述
Thyristor Modules /Diode Modules

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MCD56-08IO1 数据手册

MCC 56

MCD 56

I_TRMS= 2x100 A

I_TAVM= 2x64 A

V_RRM= 800-1800 V

Thyristor Modules

Thyristor/Diode Modules

TO-240 AA

V_RSM

V_DSM

V_RRM

V_DRM

Type

Version

1 B

8 B

Version

1 B

8 B

900

1300

1500

1700

1900

800

1200

1400

1600

1800

MCC 56-08 io1 B / io8 B

MCC 56-12 io1 B / io8 B

MCC 56-14 io1 B / io8 B

MCC 56-16 io1 B / io8 B

MCC 56-18 io1 B / io8 B

MCD 56-08 io1 B / io8 B

MCD 56-12 io1 B / io8 B

MCD 56-14 io1 B / io8 B

MCD 56-16 io1 B / io8 B

MCD 56-18 io1 B / io8 B

6 7 1

5 4 2

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

I_TRMS, I_FRMS

I_TAVM, I_FAVM

T_VJ= T_VJM

T_C= 83°C; 180° sine

T_C= 85°C; 180° sine

100

MCC

Version 1 B

5 4 2

I_TSM, I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1500

1600

MCD

Version 1 B

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1350

1450

∫i²dt

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

11 200

10 750

A²s

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

9100

8830

A²s

MCC

Version 8 B

(di/dt)_cr

T_VJ= T_VJM

repetitive, I_T= 150 A

150

A/µs

f =50 Hz, t_P= 200 µs

V_D= ²/₃V_DRM

MCD

Version 8 B

I_G= 0.45 A

di_G/dt = 0.45 A/µs

non repetitive, I_T= I_TAVM

V_DR= ²/₃V_DRM

500

A/µs

V/µs

(dv/dt)_cr

P_GM

T_VJ= T_VJM

;

1000

Features

R_GK= ∞; method 1 (linear voltage rise)

• International standard package,

JEDEC TO-240 AA

• Direct copper bonded Al₂O₃-ceramic

base plate

• Planar passivated chips

• Isolation voltage 3600 V~

• UL registered, E 72873

T_VJ= T_VJM

I_T= I_TAVM

;

t_P= 30 µs

t_P= 300 µs

;

P_GAV

V_RGM

0.5

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+125

125

-40...+125

°C

• Gate-cathode twin pins for version 1B

Applications

V_ISOL

50/60 Hz, RMS;

I_ISOL≤ 1 mA;

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

• DC motor control

• Softstart AC motor controller

• Light, heat and temperature control

M_d

Mounting torque (M5)

Terminal connection torque (M5)

2.5-4.0/22-35 Nm/lb.in.

Weight

Typical including screws

Advantages

Data according to IEC 60747 and refer to a single thyristor/diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

• Space and weight savings

• Simple mounting with two screws

• Improvedtemperatureandpowercycling

• Reduced protection circuits

1 - 4

12 3 4

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MCD56-08IO1B	IXYS	获取价格	Thyristor Modules /Diode Modules
MCD56-08IO1B	LITTELFUSE	获取价格	晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCD56-08IO8B	IXYS	获取价格	Thyristor Modules /Diode Modules
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MCD56-12IO1	IXYS	获取价格	Thyristor Modules /Diode Modules
MCD56-12IO1B	IXYS	获取价格	Thyristor Modules /Diode Modules
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MCD56-12IO8	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 1200V V(RRM),
MCD56-12IO8B	IXYS	获取价格	Thyristor Modules /Diode Modules
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