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MCD250-18IO1 PDF预览

MCD250-18IO1

更新时间： 2024-11-19 22:46:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 可控硅二极管
页数 文件大小 规格书
4页 142K
描述
Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules

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MCD250-18IO1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-5针数：5
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.71其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流：150 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X5
元件数量：1端子数量：5
最高工作温度：140 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：450 A
断态重复峰值电压：1800 V重复峰值反向电压：1800 V
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

MCD250-18IO1 数据手册

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MCC 250  
MCD 250  
ITRMS = 2x450 A  
ITAVM = 2x287 A  
VRRM = 800-1800 V  
Thyristor Modules  
Thyristor/Diode Modules  
3
VRSM  
VDSM  
VRRM  
VDRM  
Type  
7
2
6
5
4
1
V
V
Version 1  
Version 1  
900  
1300  
1500  
1700  
1900  
800  
1200  
1400  
1600  
1800  
MCC 250-08io1  
MCC 250-12io1  
MCC 250-14io1  
MCC 250-16io1  
MCC 250-18io1  
MCD 250-08io1  
MCD 250-12io1  
MCD 250-14io1  
MCD 250-16io1  
MCD 250-18io1  
3
3
6 7 1  
5 4 2  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
ITRMS, IFRMS  
TVJ = TVJM  
TC = 85°C; 180° sine  
450  
287  
A
A
I
TAVM, IFAVM  
MCC  
MCD  
ITSM, IFSM  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
9000  
9600  
A
A
1
5 4 2  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
7800  
8500  
A
A
∫i2dt  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
405 000  
380 000  
A2s  
A2s  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
304 000  
300 000  
A2s  
A2s  
Features  
• International standard package  
• Direct copper bonded Al2O3 -ceramic  
base plate  
• Planar passivated chips  
• Isolation voltage 3600 V~  
• UL registered, E 72873  
• Keyed gate/cathode twin pins  
(di/dt)cr  
TVJ = TVJM  
;
repetitive, IT = 860 A  
100  
A/µs  
f = 50 Hz; tP = 200 µs  
VD = 2/3 VDRM  
IG = 1 A;  
diG/dt = 1 A/µs  
non repetitive, IT = 290 A  
VDR = 2/3 VDRM  
800  
A/µs  
V/µs  
(dv/dt)cr  
PGM  
TVJ = TVJM  
;
1000  
RGK = ∞; method 1 (linear voltage rise)  
TVJ = TVJM  
IT = ITAVM  
;
tP = 30 µs  
tP = 500 µs  
120  
60  
W
W
Applications  
;
• Motor control  
• Power converter  
• Heat and temperature control for  
industrial furnaces and chemical  
processes  
PGAV  
VRGM  
20  
10  
W
V
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+140  
140  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
• Lighting control  
• Contactless switches  
VISOL  
50/60 Hz, RMS;  
IISOL ≤ 1 mA;  
t = 1 min  
t = 1 s  
3000  
3600  
V~  
V~  
Advantages  
• Space and weight savings  
• Simple mounting  
Md  
Mounting torque (M5)  
Terminal connection torque (M8)  
2.5-5/22-44 Nm/lb.in.  
12-15/106-132 Nm/lb.in.  
• Improvedtemperatureandpowercycling  
• Reduced protection circuits  
Weight  
Typical including screws  
320  
g
Data according to IEC 60747 and refer to a single thyristor/diode unless otherwise stated.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2004 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCD251FU MOTOROLA

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 		Consumer Circuit, PQFP160, QFP-160
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 		Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCD255-12IO1 LITTELFUSE

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MCD255-14IO1 IXYS

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MCD26-04IO8 LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 50000mA I(T), 400V V(RRM),

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