是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.79 |
其他特性: | UL RECOGNIZED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE | 最大直流栅极触发电流: | 150 mA |
最大直流栅极触发电压: | 2 V | 快速连接描述: | G-GR |
螺丝端子的描述: | A-K-AK | 最大维持电流: | 150 mA |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X5 | 最大漏电流: | 40 mA |
通态非重复峰值电流: | 9600 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 最大通态电流: | 250000 A |
最高工作温度: | 130 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 450 A |
断态重复峰值电压: | 1800 V | 重复峰值反向电压: | 1800 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 触发设备类型: | SCR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MCD26-04IO8 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 50000mA I(T), 400V V(RRM), | |
MCD26-04IO8B | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 50A I(T)RMS, 27000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Eleme | |
MCD26-06IO8 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 50000mA I(T), 600V V(RRM), | |
MCD26-06IO8B | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 50A I(T)RMS, 27000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Eleme | |
MCD26-08IO1B | IXYS |
获取价格 |
Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules | |
MCD26-08IO1B | LITTELFUSE |
获取价格 |
晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。 | |
MCD26-08IO8 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 50000mA I(T), 800V V(RRM), | |
MCD26-08IO8 | LITTELFUSE |
获取价格 |
暂无描述 | |
MCD26-08IO8B | IXYS |
获取价格 |
Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules | |
MCD26-08IO8B | LITTELFUSE |
获取价格 |
晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。 |