生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.66 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE | 最大直流栅极触发电流: | 150 mA |
最大直流栅极触发电压: | 1.5 V | 快速连接描述: | G |
螺丝端子的描述: | A-K-AK | 最大维持电流: | 200 mA |
JEDEC-95代码: | TO-240AA | JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 |
最大漏电流: | 10 mA | 通态非重复峰值电流: | 560 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
最大通态电流: | 27000 A | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 50 A |
断态重复峰值电压: | 400 V | 重复峰值反向电压: | 400 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MCD26-06IO8 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 50000mA I(T), 600V V(RRM), | |
MCD26-06IO8B | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 50A I(T)RMS, 27000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Eleme | |
MCD26-08IO1B | IXYS |
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Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules | |
MCD26-08IO1B | LITTELFUSE |
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晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。 | |
MCD26-08IO8 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 50000mA I(T), 800V V(RRM), | |
MCD26-08IO8 | LITTELFUSE |
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暂无描述 | |
MCD26-08IO8B | IXYS |
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Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules | |
MCD26-08IO8B | LITTELFUSE |
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晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。 | |
MCD26-12IO1B | IXYS |
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Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules | |
MCD26-12IO1B | LITTELFUSE |
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晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。 |