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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 3 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 8 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.5 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 2000 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MC5602 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 2500V V(RRM), Silicon, |
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| MC5604 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 4000V V(RRM), Silicon, |
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| MC5605 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 5000V V(RRM), Silicon, |
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| MC5606 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 7500V V(RRM), Silicon, |
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| MC5607 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 10000V V(RRM), Silicon, |
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| MC5610 | MICROSEMI |
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FAST RECOVERY HIGH POWER MICRO HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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| MC5610_04 | MICROSEMI |
获取价格 |
FAST RECOVERY HIGH POWER MICRO HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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| MC5610E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.79A, 1500V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, |
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| MC5610SM | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.79A, 1500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| MC5610SME3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.79A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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