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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | 风险等级： | 5.1 |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.5 µA |
| 标称共模抑制比： | 90 dB | 最大输入失调电压： | 6000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 4.92 mm | 负供电电压上限： | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 75 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.96 mm | 标称压摆率： | 4 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 供电电压上限： | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 标称均一增益带宽： | 10000 kHz | 宽度： | 3.95 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MC4560-S08-T | UTC |
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DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER-DUAL COMPARATOR |
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| MC-4564DC726EF-A10 | RENESAS |
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MEMORY MODULE,SDRAM,64MX72,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC |
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| MC-4564DC726EF-A80 | NEC |
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Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, MOS, DIMM-168 |
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| MC-4564EC726 | NEC |
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64 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE |
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| MC-4564EC726EFB-A10 | NEC |
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64 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE |
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| MC-4564EC726EFB-A80 | NEC |
获取价格 |
64 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE |
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| MC-4564EC726PFB-A10 | NEC |
获取价格 |
64 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE |
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| MC-4564EC726PFB-A80 | NEC |
获取价格 |
64 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE |
|
| MC-4564EC727 | NEC |
获取价格 |
64M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE |
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| MC-4564EC727EF-A75 | NEC |
获取价格 |
64M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE |
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