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MC-4R192CEE6B-745

更新时间: 2024-11-28 21:04:55
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 662K
描述
MEMORY MODULE,DRAM,RAMBUS,96MX16,CMOS,DIMM,184PIN,PLASTIC

MC-4R192CEE6B-745 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM184,40
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大时钟频率 (fCLK):711 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N184内存密度:1610612736 bit
内存集成电路类型:RAMBUS DRAM MODULE内存宽度:16
端子数量:184字数:100663296 words
字数代码:96000000组织:96MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM184,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:1.8/2.5,2.5 V认证状态:Not Qualified
子类别:DRAMs表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MC-4R192CEE6B-745 数据手册

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