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MBRT200150R

更新时间： 2024-09-11 01:06:19

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GENESIC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	797K
描述
Silicon Power Schottky Diode

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MBRT200150R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PUFM-X3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.54
Is Samacsys：	N	应用：	POWER
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.88 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：	1500 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	100 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	150 V	最大反向电流：	1000 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

MBRT200150R 数据手册

MBRT200150 thru MBRT200200R

V_RRM= 150 V - 200 V

I_F(AV)= 200 A

Silicon Power

Schottky Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 150 V to 200 V V_RRM

Three Tower Package

• Isolation Type Package

• Electrically Isolated Base Plate

• Not ESD Sensitive

Maximum ratings, at T_j= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)

Conditions

MBRT200200(R)

Parameter

Symbol

MBRT200150(R)

Unit

V_RRM

V_RMS

V_DC

T_j

200

141

Repetitive peak reverse voltage

RMS reverse voltage

150

106

200

DC blocking voltage

150

-55 to 150

Operating temperature

Storage temperature

-55 to 150

°C

T_stg

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Conditions

T_C= 125 °C

MBRT200200(R)

Parameter

Symbol

I_F(AV)

MBRT200150(R)

Unit

Average forward current (per

pkg)

200

1500

0.92

200

Peak forward surge current

(per leg)

I_FSM

t_p= 8.3 ms, half sine

1500

Maximum instantaneous forward

voltage (per leg)

V_F

I_R

I_FM= 100 A, T_j= 25 °C

0.88

T_j= 25 °C

T_j= 100 °C

T_j= 150 °C

Maximum instantaneous

reverse current at rated DC

blocking voltage (per leg)

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction-

case (per leg)

R_ΘJC

0.45

°C/W

Oct. 2018

http://www.diodemodule.com/silicon_products/modules/mbrt200150.pdf

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