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MBRF1060-E3/45 PDF预览

MBRF1060-E3/45

更新时间： 2024-11-18 15:42:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 130K
描述
DIODE 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN, Rectifier Diode

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MBRF1060-E3/45 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.34
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：100 µA
反向测试电压：60 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBRF1060-E3/45 数据手册

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MBR(F,B)1035 thru MBR(F,B)1060  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Schottky Barrier Rectifier  
FEATURES  
• Low power loss, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
TO-220AC  
ITO-220AC  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
2
2
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per  
JESD 22-B106 (for TO-220AC and ITO-220AC package)  
1
1
MBR10xx  
MBRF10xx  
PIN 1  
• AEC-Q101 qualified  
PIN 1  
CASE  
PIN 2  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PIN 2  
TO-263AB  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage, high frequency rectifier of switching  
mode power supplies, freewheeling diodes, DC/DC  
converters, and polarity protection application.  
2
1
MBRB10xx  
PIN 1  
K
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB  
PIN 2  
Molding compound meets UL 94-V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
10 A  
35 V, 60 V  
150 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
VF  
0.57 V, 0.70 V  
150 °C  
TJ max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
MBR1035  
MBR1045  
MBR1050  
MBR1060  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (Fig.1)  
VRRM  
35  
45  
50  
60  
V
A
IF(AV)  
10  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
150  
A
Peak repetitive reverse current at tp = 2.0 µs, 1 kHz  
IRRM  
dV/dt  
TJ  
1.0  
0.5  
Voltage rate of change (rated VR)  
10 000  
V/μs  
°C  
- 65 to + 150  
- 65 to + 175  
Operating junction and storage temperature range  
TSTG  
Isolation voltage (ITO-220AC only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Revision: 13-Jun-12  
Document Number: 88669  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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