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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBRF1030CT-G
MBRF1030CT-G PDF预览

MBRF1030CT-G

更新时间： 2024-11-05 07:17:59
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管测试瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
3页 73K
描述
Schottky Barrier Rectifiers

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MBRF1030CT-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.74其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.8 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：100 µA反向测试电压：30 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBRF1030CT-G 数据手册

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Schottky Barrier Rectifiers  
Comchip  
S M D D i o d e S p e c i a l i s t  
MBRF1030CT-G Thru. MBRF10100CT-G  
Voltage: 30 to 100 V  
Current: 10.0 A  
RoHS Device  
Features  
ITO-220AB  
-Metal of silicon rectifier, majority carrier conduction.  
0.189(4.80)  
0.173(4.40)  
0.118(3.00)  
0.102(2.60)  
0.118(3.00)  
0.138(3.50)  
0.122(3.10)  
0.406(10.30)  
0.386( 9.80)  
0.102(2.60)  
-Guard ring for transient protection.  
-Low power loss, high efficiency.  
-High current capability.  
-High surge capacity.  
0.622(15.80)  
0.583(14.80)  
-For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling,and polarity protection applications.  
0.157(4.00)  
0.118(3.00)  
Mechanical Data  
0.071  
MAX  
(1.80)  
0.059(1.50)  
0.043(1.10)  
0.551(14.00)  
0.511(13.00)  
-Case: ITO-220AB, molded plastic  
-Epoxy: UL 94-V0 rate flame retardant.  
-Polarity: As marked on the body.  
-Mounting position: Any  
0.031(0.80)  
0.020(0.50)  
0.028(0.70)  
0.020(0.50)  
0.105(2.67)  
0.095(2.41)  
0.114(2.90)  
0.098(2.50)  
-Weight: 2.24 grams  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load derate current by 20%.  
MBRF  
MBRF  
MBRF  
MBRF  
MBRF  
MBRF  
MBRF  
Symbol  
Parameter  
Unit  
1030CT-G 1040CT-G 1045CT-G 1050CT-G 1060CT-G 1080CT-G 10100CT-G  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
V
RRM  
RMS  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
V
Maximum RMS Voltage  
V
DC  
100  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
Current ( See Fig.1 )  
I
(AV)  
10  
A
A
Peak Forward Surage Current ,  
IFSM  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
120  
Super Imposed On Rated Load(JEDEC Method)  
IF=5A@ TJ= 25°C  
0.70  
0.57  
0.80  
0.70  
0.80  
0.65  
0.90  
0.75  
0.85  
0.75  
0.95  
0.85  
IF=5A@ TJ=125°C  
IF=10A@ TJ= 25°C  
IF=10A@ TJ=125°C  
@ TJ= 25°C  
Peak Forward Voltage  
(Note 1)  
V
F
V
0.1  
15  
Maximum DC Reverse Current  
at Rate DC Blocking Voltage  
mA  
IR  
@ TJ= 125°C  
Typical Junction Capacitance (Note2)  
Typical Thermal Resistance (Note3)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
pF  
°C/W  
°C  
C
J
170  
220  
300  
3.0  
R
θJC  
3.0  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +175  
TSTG  
°C  
NOTES:  
1. 300us pulse width,2% duty cycle.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Thermal resistance junction to case.  
REV:A  
Page 1  
QW-BB052  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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