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MBRF10100CT-E3/45

更新时间： 2024-02-09 07:51:56
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威世 - VISHAY 高压
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4页 381K
描述
Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier

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MBRF10100CT-E3/45 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.81
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：120 A
最高工作温度：150 °C最大输出电流：5 A
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

MBRF10100CT-E3/45 数据手册

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MBRF1090CT & MBRF10100CT  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
ITO-220AB  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
3
2
1
and WEEE 2002/96/EC  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, freewheeling diodes, dc-to-dc  
converters or polarity protection application.  
MECHANICAL DATA  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Case: ITO-220AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
5.0 A x 2  
90 V, 100 V  
120 A  
VF  
0.75 V  
TJ max.  
150 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL  
MBRF1090CT MBRF10100CT  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
90  
90  
90  
100  
100  
100  
V
V
V
total device  
per diode  
10  
5.0  
Maximum average forward rectified current at TC = 105 °C  
IF(AV)  
IFSM  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
120  
Peak repetitive reverse current per diode at tp = 2 µs, 1 kHz  
Voltage rate of change (rated VR)  
IRRM  
dV/dt  
0.5  
A
10 000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 150  
Isolation voltage  
from terminal to heatsink with t = 1 min  
VAC  
1500  
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
IF = 5.0 A TC = 125 °C  
IF = 5.0 A C = 25 °C  
SYMBOL  
MBRF1090CT MBRF10100CT  
UNIT  
Maximum instantaneous forward voltage  
per diode (1)  
0.75  
0.85  
VF  
V
T
Maximum reverse current per diode at  
working peak reverse voltage (1)  
TJ = 25 °C  
TJ = 100 °C  
100  
6.0  
µA  
mA  
IR  
Note:  
(1) Pulse test: 300 µs pulse width, 1 % duty cycle  
Document Number: 88681  
Revision: 08-Nov-07  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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MBRF10100CT-E3/45 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBRF10100CT-E3/4W VISHAY

完全替代

 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO

与MBRF10100CT-E3/45相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRF10100CT-E3/4W VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO
MBRF10100CT-G KERSEMI

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 		Voltage: 30 to 100 V Current: 10.0 A RoHS Device
MBRF10100CT-G COMCHIP

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 		Schottky Barrier Rectifiers
MBRF10100CTL LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB,
MBRF10100CT-M3 VISHAY

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 		Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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MBRF10100CTR LITTELFUSE

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