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MBRF10100CT-M3/4W PDF预览

MBRF10100CT-M3/4W

更新时间： 2024-02-18 11:54:33
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 78K
描述
DIODE 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN, Rectifier Diode

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MBRF10100CT-M3/4W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.1
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBRF10100CT-M3/4W 数据手册

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New Product  
MBRF1090CT, MBRF10100CT  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier  
FEATURES  
TMBS®  
ITO-220AB  
• Trench MOS Schottky technology  
• Low power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capabilty  
• High frequency operation  
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per  
JESD 22-B106  
3
2
1
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
MBRF1090CT  
MBRF10100CT  
PIN 1  
PIN 2  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
PIN 3  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectifier of switching mode power  
supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters or polarity  
protection application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 5.0 A  
90 V, 100 V  
120 A  
MECHANICAL DATA  
Case: ITO-220AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
VRRM  
IFSM  
Base P/N-M3  
commercial grade  
- halogen-free, RoHS compliant, and  
VF at IF = 5.0 A  
TJ max.  
0.75 V  
150 °C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
MBRF1090CT  
MBRF10100CT  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
90  
90  
90  
100  
100  
100  
V
V
V
VRWM  
VDC  
total device  
per diode  
10  
Maximum average forward rectified current  
at TC = 105 °C  
IF(AV)  
A
A
5.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
120  
Voltage rating of change (rated VR)  
dV/dt  
TJ, TSTG  
VAC  
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
Isolation voltage from termal to heatsink t = 1 min  
- 65 to + 150  
1500  
V
Document Number: 89321  
Revision: 22-Sep-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与MBRF10100CT-M3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRF10100CTR LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB,
MBRF10100CTR THINKISEMI

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 		10.0 Amperes Insulated Dual Common Anode Schottky Half Bridge Rectifiers
MBRF10100CT-Y TSC

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 		Dual Common Cathode Schottky Rectifier
MBRF10100D TSC

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 		10.0AMPS Isolated Schottky Barrier Rectifier
MBRF10100-E3/4W VISHAY

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 		High-Voltage Schottky Rectifier
MBRF10100-E34W KERSEMI

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 		Trench MOS Schottky technology
MBRF10100-G COMCHIP

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 		Schottky Barrier Rectifiers
MBRF10150 TSC

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MBRF10150 DACHANG

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 		Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage 40 to 200 V Forward Current 10 A
MBRF10150 YANGJIE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 150V V(RRM)

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