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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBRF10100-G
MBRF10100-G PDF预览

MBRF10100-G

更新时间： 2024-01-10 06:27:16
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管测试瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
Schottky Barrier Rectifiers

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MBRF10100-G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AC, 3/2 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：100 µA
反向测试电压：100 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Pure Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBRF10100-G 数据手册

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Schottky Barrier Rectifiers  
MBRF1030-G Thru. MBRF10100-G  
Reverse Voltage: 30 to 100 V  
Forward Current: 10 A  
RoHS Device  
Features  
ITO-220AC  
-Guard ring for transient protection.  
-Low power loss high efficiency.  
-High current capability.  
0.189(4.80)  
0.173(4.40)  
0.118(3.00)  
0.102(2.60)  
0.138(3.50)  
0.122(3.10)  
0.406(10.30)  
0.386( 9.80)  
0.118(3.00)  
0.102(2.60)  
-High surge capacity.  
-For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications.  
0.622(15.80)  
0.583(14.80)  
Mechanical Data  
0.04 MAX  
(1.0)  
-Case: JEDEC ITO-220AC, molded plastic body.  
0.157(4.00)  
0.118(3.00)  
-Terminals: Pure tin plated, lead free.Solderable per  
MIL-STD-750,Method 2026  
0.059(1.50)  
0.043(1.10)  
0.551(14.00)  
0.511(13.00)  
-Polarity: As marked on the body.  
-Mounting position: Any  
-Weight: 2.24 grams  
0.031(0.80)  
0.020(0.50)  
0.028(0.70)  
0.020(0.50)  
0.105(2.67)  
0.095(2.41)  
0.114(2.90)  
0.098(2.50)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum Ratings And Electrical Characteristics  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load derate current by 20%.  
MBRF  
MBRF  
MBRF  
MBRF  
MBRF  
MBRF  
MBRF  
Symbol  
Parameter  
Unit  
1030-G 1040-G 1045-G 1050-G 1060-G 1080-G 10100-G  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
A
Maximum DC Blocking Voltage  
50  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current (See Fig.1)  
I(AV)  
10.0  
Peak Forward Surage Current , 8.3ms Single Half  
IFSM  
VF  
150  
A
V
Sine-Wave Super Imposed On Rated Load(JEDEC Method)  
IF=10A@ TJ= 25°C  
IF=10A@ TJ=125°C  
0.70  
0.57  
0.84  
0.72  
0.80  
0.70  
0.95  
0.85  
0.85  
0.71  
-
Peak Forward Voltage (Note 1)  
IF=20A@ TJ= 25°C  
-
IF=20A@ TJ=125°C  
0.1  
15  
0.1  
10  
0.1  
6.0  
Maximum DC Reverse Current @ Tc= 25°C  
IR  
mA  
at Rate DC Blocking Voltage  
@ Tc= 125°C at (Note 2)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
400  
2.5  
1100  
2.0  
CJ  
RθJC  
TJ  
PF  
°C/W  
°C  
-55 to +150  
-55 to +175  
TSTG  
°C  
NOTES:  
1. 300μs pulse width, 2% duty cycle.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Thermal resistance junction to case.  
REV:A  
Page 1  
QW-BB053  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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