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MBRF10150

更新时间： 2024-01-31 08:27:14
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TSC 二极管瞄准线功效局域网
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2页 136K
描述
Isolated 10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers

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MBRF10150 技术参数

生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.64
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：150 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：PURE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBRF10150 数据手册

 浏览型号MBRF10150的Datasheet PDF文件第2页 
MBRF1035 - MBRF10150  
Isolated 10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers  
ITO-220AC  
.185(4.7)  
.173(4.4)  
.406(10.3)  
.390(9.90)  
.124(3.16)  
.118(3.00)  
.134(3.4)DIA  
.113(3.0)DIA  
.112(2.85)  
.100(2.55)  
.272(6.9)  
.248(6.3)  
Features  
.606(15.5)  
.583(14.8)  
ꢀ
Plastic material used carries Underwriters  
Laboratory Classifications 94V-0  
.063(1.6)  
MAX  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Metal silicon junction, majority carrier conduction  
Low power loss, high efficiency  
.161(4.1)  
.146(3.7)  
High current capability, low forward voltage drop  
High surge capability  
.110(2.8)  
.098(2.5)  
.543(13.8)  
.512(13.2)  
.055(1.4)  
.043(1.1)  
.071(1.8)  
MAX  
For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications  
Guardring for overvoltage protection  
.030(0.76)  
.020(0.50)  
.035(0.9)  
.020(0.5)  
ꢀ
ꢀ
High temperature soldering guaranteed:  
2
260oC/10 seconds,0.25”(6.35mm)from case  
.100(2.55)  
PIN 1  
PIN 2  
Case Positive  
.100(2.55)  
Mechanical Data  
CASE  
ꢀ
Cases: JEDEC TO-220AC molded plastic body  
Terminals: Pure tin plated, lead free. solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
ꢀ
Dimensions in inches and (millimeters)  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: As marked  
Mounting position: Any  
Mounting torque: 5 in. - lbs. max  
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF  
Symbol  
Type Number  
Units  
1035  
1045  
1050  
1060  
1090 10100 10150  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
35  
24  
35  
45  
31  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
10  
90  
63  
90  
100  
70  
100  
150  
105  
150  
V
V
V
Maximum Average Forward Rectified Current  
I(AV)  
A
at Tc=125oC  
Peak Repetitive Forward Current (Rated VR,  
Square Wave, 20KHz) at Tc=125oC  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half  
Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC  
method )  
32  
IFRM  
A
150  
IFSM  
IRRM  
A
A
Peak Repetitive Reverse Surge Current (Note 1)  
1.0  
0.5  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at:  
(Note 2)  
IF=10A, TC=25oC  
IF=10A, TC=125oC  
IF=20A, TC=25oC  
IF=20A, TC=125oC  
1.05  
0.85  
0.71  
－
0.70  
0.57  
0.84  
0.72  
0.80  
－
V
VF  
0.70  
0.95  
0.85  
－
－
－
Maximum Instantaneous Reverse Current  
@ Tc =25 oC at Rated DC Blocking Voltage  
0.1  
0.1  
6.0  
mA  
mA  
IR  
@ Tc=125 oC  
(Note 2)  
15  
10  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
Typical Junction Capacitance  
dV/dt  
Cj  
10,000  
500  
3.0  
V/uS  
pF  
Maximum Typical Thermal Resistance(Note 3)  
R
θJC  
oC/W  
oC  
oC  
-65 to +150  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
-65 to +175  
TSTG  
Notes: 1. 2.0us Pulse Width, f=1.0 KHz  
2. Pulse Test: 300us Pulse Width, 1% Duty Cycle  
3. Thermal Resistance from Junction to Case Per Leg with Heatsink Size of 2 in x 3 in x 0.25 in Al-Plate.  
Version:B07  
12

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