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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBRF10100-E3/4W
MBRF10100-E3/4W PDF预览

MBRF10100-E3/4W

更新时间： 2024-09-28 11:11:27
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威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线高压功效局域网
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5页 525K
描述
High-Voltage Schottky Rectifier

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MBRF10100-E3/4W 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.62
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.65 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

MBRF10100-E3/4W 数据手册

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MBR(F,B)1090 & MBR(F,B)10N1e0w0Product  
Vishay General Semiconductor  
High-Voltage Schottky Rectifier  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
TO-220AC  
ITO-220AC  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
2
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
1
1
MBR1090  
MBR10100  
PIN 1  
MBRF1090  
MBRF10100  
PIN 1  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and  
ITO-220AC package)  
CASE  
PIN 2  
PIN 2  
TO-263AB  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
K
2
TYPICAL APPLICATIONS  
1
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, freewheeling diodes, dc-to-dc  
converters or polarity protection application.  
MBRB1090  
MBRB10100  
PIN 1  
K
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
IF(AV)  
10 A  
VRRM  
IFSM  
90 V, 100 V  
150 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for commercial grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
Polarity: As marked  
VF  
0.65 V  
TJ max.  
150 °C  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
VRWM  
VDC  
MBR1090  
MBR10100  
100  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
90  
90  
90  
V
V
V
A
100  
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current at TC = 133 °C  
IF(AV)  
10  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
150  
A
Peak repetitive reverse current at tp = 2 µs, 1 kHz  
Voltage rate of change (rated VR)  
IRRM  
dV/dt  
0.5  
A
10 000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 150  
1500  
Isolation voltage (ITO-220AC only)  
From terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
V
www.vishay.com  
476  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
Document Number: 89034  
Revision: 19-May-08  
12345

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