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MBRF10100CTL

更新时间： 2024-01-17 11:23:20
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 624K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

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MBRF10100CTL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：1.58其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.85 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：1000 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBRF10100CTL 数据手册

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Schottky Barrier Rectifier  
MBRF10100CTL, 2x 5A, 100V, ITO-220AB, Common Cathode  
Pb  
RoHS  
MBRF10100CTL  
Description  
Littelfuse MBR series Schottky Barrier Rectifier is  
designed to meet the general requirements of commercial  
applications by providing high temperature, low leakage  
and low VF products.  
It is suitable for high frequency switching mode power  
supply, free-wheeling diodes and polarity protection  
diodes.  
Features  
• High junction  
• High frequency operation  
temperature capability  
• Common cathode  
configuration in  
electrically isolated ITO-  
220AB package  
Pin out  
• Guard ring for enhanced  
ruggedness and long  
term reliability  
• Low forward voltage drop  
Applications  
1
3
2
Common  
Cathode  
• Switching mode power  
supply  
• DC/DC converters  
Anode  
Anode  
• Polarity protection diodes  
• Free-wheeling diodes  
Maximum Ratings  
Parameters  
Peak Inverse Voltage  
Symbol  
Test Conditions  
Max  
100  
Unit  
VRWM  
-
V
50% duty cycle @T = 135°C,  
rectangular wavCe form  
5 (per leg)  
10 (total device)  
Average Forward Current  
IF(AV)  
IFSM  
A
A
Peak One Cycle Non-Repetitive Surge  
Current (per leg)  
120  
8.3 ms, half Sine pulse  
Electrical Characteristics  
Parameters  
Symbol  
Test Conditions  
@ 3A, Pulse, TJ = 25 °C  
Max  
0.78  
0.85  
0.65  
0.75  
1
Unit  
VF1  
@ 5A, Pulse, TJ = 25 °C  
Forward Voltage Drop (per leg) *  
V
@ 3A, Pulse, TJ = 125 °C  
@ 5A, Pulse, TJ = 125 °C  
@VR = rated VR TJ = 25 °C  
@VR = rated VR TJ = 125 °C  
@VR = 5V, TC = 25 °C fSIG = 1MHz  
VF2  
IR1  
IR2  
Reverse Current (per leg) *  
mA  
15  
Junction Capacitance (per leg)  
Typical Series Inductance (per leg)  
Voltage Rate of Change  
CT  
300  
pF  
nH  
LS  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
dv/dt  
10,000  
V/μs  
Clip mounting, the epoxy body away from the  
heatsink edge by more than 0.110” along the  
lead direction.  
4500  
RSM Isolation Voltage  
(t = 1.0 second, R. H. < =30%,  
TA = 25 °C)  
VISO  
Clip mounting, the epoxy body is inside the  
heatsink.  
V
3500  
1500  
Screw mounting, the epoxy body is inside the  
heatsink.  
* Pulse Width < 300μs, Duty Cycle <2%  
©2015 Littelfuse, Inc  
Specifications are subject to change without notice.  
Revised:11/09/15  
123

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MBRF10100CTL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBRF10100CT-E3/4W VISHAY

功能相似

 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO

与MBRF10100CTL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRF10100CT-M3 VISHAY

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 		Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
MBRF10100CT-M3/4W VISHAY

获取价格

 		DIODE 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
MBRF10100CTR LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB,
MBRF10100CTR THINKISEMI

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