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MBRF10100 PDF预览

MBRF10100

更新时间： 2024-02-01 15:16:13
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 224K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBRF10100 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AC, 3/2 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：100 µA
反向测试电压：100 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Pure Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBRF10100 数据手册

 浏览型号MBRF10100的Datasheet PDF文件第2页 
GALAXY ELECTRICAL  
MBRF1030 - - - MBRF10100  
BL  
VOLTAGE RANGE: 30 - 100 V  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
CURRENT: 10 A  
FEATURES  
ITO-220AC  
High surge capacity.  
For use in low voltage, high frequency inverters, free  
111wheeling, and polarity protection applications.  
0.188(4.77)  
0.172(4.36)  
0.405(10.27)  
0.383(9.72)  
0.110(2.80)  
0.100(2.54)  
Metal silicon junction, majority carrier conduction.  
High current capacity, low forward voltage drop.  
Guard ring for over voltage protection.  
0.140(3.56)  
0.130(3.30)  
0.131(3.39)  
DIA  
DIA  
0.122(3.08)  
0.350(8.89)  
0.330(8.38)  
PIN  
1
2
0.191(4.85)  
0.171(4.35)  
0.110(2.80)  
0.100(2.54)  
MECHANICAL DATA  
0.060(1.52)  
Case:JEDEC ITO-220AC,molded plastic body  
Terminals:Leads, solderable per MIL-STD-750,  
0.037(0.94)  
0.027(0.69)  
0.022(0.55)  
0.014(0.36)  
0.105(2.67)  
0.095(2.41)  
PIN1  
PIN2  
0.205(5.20)  
0.195(4.95)  
1 1  
Method 2026  
Polarity: As marked  
Position: Any  
Dimensions in inches and(millimeters)  
Weight: 0.064 ounces,1.81 gram  
inch(mm)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.For capactive load,derate current by 20%.  
Ratings at 25  
MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF  
1030 1035 1040 1045 1050 1060 1090 10100  
UNITS  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
30  
21  
30  
35  
25  
35  
40  
28  
40  
45  
32  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
90  
63  
90  
100  
70  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forw ard total device  
IF(AV)  
IFSM  
10  
A
A
m rectified current @TC = 133°C  
Peak forw ard surge current 8.3ms single half  
150  
b
sine-w ave superimposed on rated load  
Maximum forw ard  
voltage  
(IF=10A,TC=25  
(IF=10A,TC=125  
(I F=20A,TC=25  
(IF=20A,TC=125  
)
)
0.80  
0.80  
-
)
0.57  
0.84  
0.72  
0.70  
0.95  
0.65  
0.95  
V
VF  
(Note 1)  
)
0.85  
0.75  
Maximum reverse current  
@TC=25  
0.1  
IR  
m A  
at rated DC blocking voltage  
@TC=125  
15  
6.03)  
Maximum thermal resistance (Note2)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
RθJC  
TJ  
4.0  
/W  
- 55 ---- + 150  
- 55 ---- + 175  
TSTG  
NOTE: 1. Pulse test:300μs pulse width,1% duty cy cle.  
www.galaxycn.com  
2. Thermal resistance from junction to case.  
3.TC=100  
1.  
Document Number 0267031  
BLGALAXY ELECTRICAL  
12

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