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MBRB3030CTLG

更新时间： 2024-02-01 03:50:01
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
8页 87K
描述
SWITCHMODE Power Rectifier

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MBRB3030CTLG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.64应用：EFFICIENCY
最小击穿电压：30 V外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.55 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向电流：1000 µA
反向测试电压：30 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBRB3030CTLG 数据手册

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MBRB3030CTL  
SWITCHMODEt  
Power Rectifier  
These state−of−the−art devices use the Schottky Barrier principle  
with a proprietary barrier metal.  
Features  
http://onsemi.com  
• Dual Diode Construction, May be Paralleled for Higher Current Output  
• Guard−Ring for Stress Protection  
• Low Forward Voltage Drop  
• 125°C Operating Junction Temperature  
• Maximum Die Size  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
30 AMPERES, 30 VOLTS  
• Short Heat Sink Tab Manufactured − Not Sheared!  
• Pb−Free Package is Available  
1
4
3
Mechanical Characteristics  
• Case: Epoxy, Molded, Epoxy Meets UL 94 V−0  
• Weight: 1.7 Grams (Approximately)  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
4
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
1
260°C Max. for 10 Seconds  
3
• Device Meets MSL1 Requirements  
• ESD Ratings: Machine Model, C (>400 V)  
Human Body Model, 3B (>8000 V)  
2
D PAK  
CASE 418B  
PLASTIC  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
MARKING DIAGRAM  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
30  
V
RRM  
V
RWM  
V
I
R
Average Rectified Forward Current  
15  
30  
A
A
AY WW  
B3030CTLG  
AKA  
O
(At Rated V , T = 115°C) Per Device  
R
C
Peak Repetitive Forward Current  
I
30  
300  
2.0  
FRM  
(At Rated V , Square Wave,  
R
20 kHz, T = 115°C)  
C
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load Conditions  
Halfwave, Single Phase, 60 Hz)  
I
A
A
FSM  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Peak Repetitive Reverse Surge Current  
I
RRM  
(1.0 ms, 1.0 kHz)  
WW  
= Work Week  
Storage Temperature Range  
T
−55 to +150  
−55 to +125  
10,000  
°C  
°C  
stg  
B3030CTL = Device Code  
G
AKA  
Operating Junction Temperature Range  
T
= Pb−Free Package  
= Diode Polarity  
J
Voltage Rate of Change  
dV/dt  
V/ms  
(Rated V , T = 25°C)  
R
J
ORDERING INFORMATION  
Reverse Energy, Unclamped Inductive  
E
224.5  
mJ  
AS  
Surge (T = 25°C, L = 3.0 mH)  
J
Device  
Package  
Shipping  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
2
MBRB3030CTL  
D PAK  
50 Units / Rail  
50 Units / Rail  
2
MBRB3030CTLG  
D PAK  
(Pb−Free)  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 6  
MBRB3030CTL/D  
12345678

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MBRB3030CTLG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBRB3030CTLG ONSEMI

当前型号

 SWITCHMODE Power Rectifier
MBRB3030CTL ONSEMI

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