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MBRB1635CT-T PDF预览

MBRB1635CT-T

更新时间： 2024-11-06 09:50:07
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 467K
描述
Rectifier Diode,

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MBRB1635CT-T 数据手册

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M C C  
MBRB1620CT  
THRU  
MBRB1660CT  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
16 Amp  
Schottky  
Barrier Rectifier  
20 to 60 Volts  
•
•
•
•
•
x
Metal of Silicon Rectifier, Majority Conducton  
Guard ring for transient protection  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability, High Efficiency  
Low Power Loss  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
D2-PACK  
Maximum Ratings  
S
•
•
Operating Temperature: -55°C to +125°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
V
A
MCC  
Catalog  
Number  
Maximum  
Reccurrent  
Peak Reverse  
Voltage  
20V  
Maximum Maximum  
1
2
3
G
RMS  
Voltage  
DC  
Blocking  
Voltage  
20V  
B
4
MBRB1620CT  
MBRB1630CT  
MBRB1635CT  
MBRB1640CT  
MBRB1645CT  
MBRB1660CT  
14V  
D
30V  
35V  
40V  
45V  
21V  
30V  
24.5V  
35V  
C
H
28V  
40V  
31.5V  
42V  
45V  
60V  
E
60V  
J
K
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
1
2 , 4  
HEATSINK  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
16A  
TC = 90°C  
3
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
DIM  
NOTE  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
150A  
8.3ms, half sine  
MIN  
.320  
.380  
.160  
.020  
.045  
.095  
.096  
.014  
.090  
.575  
.045  
MAX  
MIN  
8.13  
9.65  
4.06  
0.51  
1.14  
2.41  
2.43  
0.35  
2.29  
14.60  
1.14  
MAX  
9.14  
10.45  
4.83  
0.89  
1.40  
2.67  
3.03  
0.53  
2.79  
15.80  
1.40  
A
B
C
D
E
G
H
J
.359  
.411  
.190  
.035  
.055  
.105  
.120  
.021  
.110  
.625  
.055  
Maximum Forward  
Voltage Drop Per  
VF  
IFM = 8A  
.70V  
.80V  
.57V  
.70V  
1620CT-1645CT  
1660CT  
Element  
TJ = 25°C  
K
S
V
TJ = 125°C  
1620CT-1645CT  
1660CT  
SUGGESTED SOLDER PAD LAYOUT  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
.740  
18.79  
.065  
Inches  
mm  
1.65  
TJ = 25°C  
0.1mA  
50mA  
IR  
CJ  
.420  
TJ = 100°C  
10.66  
.070  
1.78  
.120  
3.05  
Typical Junction  
.330  
8.38  
Capacitance  
1620CT-1645CT  
1660CT  
300pF Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
*Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 2  
2006/09/14  
123

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与MBRB1635CT-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRB1635CT-TP-HF MCC

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 		暂无描述
MBRB1635-E3 VISHAY

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 		DIODE 16 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
MBRB1635-E3/45 VISHAY

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 		DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
MBRB1635HE3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
MBRB1635-HE3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE 16 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBRB1635HE3/81 VISHAY

获取价格

 		DIODE 16 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBRB1635-HE3/81 VISHAY

获取价格

 		DIODE 16 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBRB1635HE3_A/I VISHAY

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 		DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
MBRB1635HE3_A/P VISHAY

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 		DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
MBRB1635HE3_B/I VISHAY

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 		Rectifier Diode,

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