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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | D2PAK-3/2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.63 | 其他特性： | LOW POWER LOSS |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.85 V | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 150 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 10 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向电流： | 100 µA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBRB10100CT-M3 | VISHAY |
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| MBRB10100CT-M3/4W | VISHAY |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, |
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| MBRB10100CTQ | MCC |
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Tape:800pcs/Reel,8K/Ctn.; |
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| MBRB10100CTQ | YANGJIE |
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TO-263 |
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| MBRB10100CTS | YANGJIE |
获取价格 |
TO-263 |
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| MBRB10100-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode |
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| MBRB10100-E3/4W | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Schottky Rectifier |
|
| MBRB10100-E3/8W | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Schottky Rectifier |
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| MBRB10100-E34W | KERSEMI |
获取价格 |
Trench MOS Schottky technology |
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| MBRB10100-E38W | KERSEMI |
获取价格 |
Trench MOS Schottky technology |
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