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MBR5825H

更新时间: 2024-11-15 20:06:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
5页 193K
描述
5A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE

MBR5825H 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-MALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.92应用:POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.52 VJESD-30 代码:O-MALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:500 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:40 V
最大反向电流:10000 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

MBR5825H 数据手册

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