是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.63 | 其他特性: | LOW NOISE |
应用: | HIGH VOLTAGE POWER | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.92 V |
JEDEC-95代码: | DO-27 | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 125 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最大输出电流: | 5 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压: | 150 V | 最大反向电流: | 8 µA |
表面贴装: | NO | 技术: | SCHOTTKY |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBR5H150VPB-G1 | DIODES |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, DO-27, DO-27(B), | |
MBR5H150VP-E1 | DIODES |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS CO | |
MBR5H150VP-E1 | BCDSEMI |
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HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER | |
MBR5H150VP-G1 | BCDSEMI |
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HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER | |
MBR5H150VP-G1 | DIODES |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD, GREEN, | |
MBR5H150VPTR-E1 | BCDSEMI |
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HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER | |
MBR5H150VPTR-E1 | DIODES |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS CO | |
MBR5H150VPTR-G1 | BCDSEMI |
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HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER | |
MBR5H60AFC | PANJIT |
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SMAF-C | |
MBR5H60AFC-AU | PANJIT |
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SMAF-C |