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MBR600200CT

更新时间： 2024-02-11 19:15:51

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GENESIC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	718K
描述
Silicon Power Schottky Diode

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MBR600200CT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PUFM-X2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.54
应用：	POWER	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.92 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X2	最大非重复峰值正向电流：	4000 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	300 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向电流：	3000 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

MBR600200CT 数据手册

MBR600150CT thru MBR600200CTR

V_RRM= 150 V - 200 V

I_F(AV)= 600 A

Silicon Power

Schottky Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 150 V to 200 V V_RRM

Twin Tower Package

• Not ESD Sensitive

Maximum ratings, at T_j= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)

Conditions

MBR600200CT (R)

Parameter

Symbol

MBR600150CT (R)

Unit

Repetitive peak reverse

voltage

V_RRM

200

150

V_RMS

V_DC

T_j

141

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

Operating temperature

Storage temperature

106

200

150

-55 to 150

°C

T_stg

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Conditions

T_C= 125 °C

MBR600200CT (R)

Parameter

Symbol

I_F(AV)

MBR600150CT (R)

Unit

Average forward current

(per pkg)

600

Peak forward surge

current (per leg)

I_FSM

t_p= 8.3 ms, half sine

4000

Maximum forward voltage

(per leg)

V_F

I_R

I_FM= 300 A, T_j= 25 °C

0.92

0.88

T_j= 25 °C

T_j= 100 °C

T_j= 150 °C

Reverse current at rated

DC blocking voltage (per

leg)

Thermal characteristics

Thermal resistance,

junction-case (per leg)

R_ΘJC

0.28

°C/W

Oct. 2018

http://www.diodemodule.com/silicon_products/modules/mbr600150ct.pdf

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